半导体器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 白好善; 司空坦; 孙重坤; 李成男 |
| 发表日期 | 2007-05-30 |
| 专利号 | CN1972044A |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种具有改善的表面形貌特性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：r面蓝宝石衬底；AlxGa(1－x)N(0≤x＜1＝缓冲层，在900－1100℃的温度下在包含氮气(N2)的气体环境下，在r面蓝宝石衬底上外延生长至100－20000的范围的厚度；以及第一a面GaN层，形成于缓冲层上。 |
| 公开日期 | 2007-05-30 |
| 申请日期 | 2006-11-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90000]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 白好善,司空坦,孙重坤,等. 半导体器件及其制造方法. CN1972044A. 2007-05-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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