一种GaN衬底的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 于彤军; 龙浩; 张国义; 吴洁君; 贾传宇; 杨志坚 |
| 发表日期 | 2011-09-28 |
| 专利号 | CN102201332A |
| 著作权人 | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种GaN衬底的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是，在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成由碳纳米管与GaN、InGaN、AlGaN、AlN或InN纳米柱构成的过渡层，随后再生长厚膜GaN，获得厚膜GaN衬底或经过去除衬底工艺或自分离工艺得到自支撑GaN衬底。本发明制备方法简单、工艺条件易控制、价格低廉，可以选择不同的衬底，还可支持多种衬底分离技术。 |
| 公开日期 | 2011-09-28 |
| 申请日期 | 2011-05-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90005]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于彤军,龙浩,张国义,等. 一种GaN衬底的制备方法. CN102201332A. 2011-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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