一种具有极化隧道结的GaN基LED外延片及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 贺龙飞; 陈志涛; 刘宁炀; 赵维; 张志清; 张康; 王巧; 张娜; 范广涵 |
| 发表日期 | 2014-06-11 |
| 专利号 | CN103855263A |
| 著作权人 | 广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院) |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种具有极化隧道结的GaN基LED外延片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种具有极化隧道结的氮化镓GaN基LED外延片及其制备方法。该GaN基LED外延片由衬底、低温缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层、高掺杂p型氮化镓层和高掺杂n型氮化镓层组成，其特征在于在高掺杂p型氮化镓层和高掺杂n型氮化镓层之间有一非掺杂的铟铝氮层。本发明是利用MOCVD外延设备依次生长上述各层。高掺杂p型氮化镓层、非掺杂的铟铝氮层和高掺杂n型氮化镓层共同组成一个极化隧道结，取代了外延片p型氮化镓层上面的电流扩展层。该极化隧道结具有比普通隧道结在电流驱动下更高的极化电场，能显著提高载流子的隧穿几率以及横向电导率，从而减少压降和增强发光二极管的横向电流扩展，获取高光效的发光二极管。 |
| 公开日期 | 2014-06-11 |
| 申请日期 | 2014-02-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90009]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺龙飞,陈志涛,刘宁炀,等. 一种具有极化隧道结的GaN基LED外延片及其制备方法. CN103855263A. 2014-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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