氮化物半导体发光装置的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 神川刚; 太田征孝 |
| 发表日期 | 2010-10-20 |
| 专利号 | CN101867149A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光装置的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种氮化物半导体发光装置的制造方法。该方法包括步骤：在具有非极性面或半极性面的氮化物半导体衬底中形成凹进区域；以及在氮化物半导体衬底上设置氮化物半导体薄膜，其中该氮化物半导体薄膜包扩n型氮化物半导体薄膜、有源层和p型氮化物半导体薄膜。p型氮化物半导体薄膜在高于或等于700℃且低于900℃的生长温度下生长。 |
| 公开日期 | 2010-10-20 |
| 申请日期 | 2010-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90015]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川刚,太田征孝. 氮化物半导体发光装置的制造方法. CN101867149A. 2010-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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