中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
光半导体装置

文献类型:专利

作者上田诚; 后藤修; 和泉茂一
发表日期2008-08-13
专利号CN101242078A
著作权人优迪那半导体有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名光半导体装置
英文摘要本发明提供一种光半导体装置,其能够提高将半导体芯片安装到安装部上时的对位精度。本发明为一种光半导体装置,其具有:第一电极(20),其设置在半导体芯片(35)的表面和背面中的任一个面上,并与安装部(40)的第一接合面(43)接合;第二电极(30),其设置在半导体芯片(35)的侧面、表面和背面中的任一个面上,并且与第二接合面(45)接合,该第二接合面(45)设置在所述安装部(40)上,并且与第一接合面(47)交叉。
公开日期2008-08-13
申请日期2008-02-05
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90016]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位优迪那半导体有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
上田诚,后藤修,和泉茂一. 光半导体装置. CN101242078A. 2008-08-13.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。