光半导体装置
文献类型:专利
作者 | 上田诚; 后藤修; 和泉茂一 |
发表日期 | 2008-08-13 |
专利号 | CN101242078A |
著作权人 | 优迪那半导体有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光半导体装置 |
英文摘要 | 本发明提供一种光半导体装置,其能够提高将半导体芯片安装到安装部上时的对位精度。本发明为一种光半导体装置,其具有:第一电极(20),其设置在半导体芯片(35)的表面和背面中的任一个面上,并与安装部(40)的第一接合面(43)接合;第二电极(30),其设置在半导体芯片(35)的侧面、表面和背面中的任一个面上,并且与第二接合面(45)接合,该第二接合面(45)设置在所述安装部(40)上,并且与第一接合面(47)交叉。 |
公开日期 | 2008-08-13 |
申请日期 | 2008-02-05 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90016] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 优迪那半导体有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 上田诚,后藤修,和泉茂一. 光半导体装置. CN101242078A. 2008-08-13. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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