掺杂镁的III－V氮化物及其制法
文献类型：专利
| 作者 | 格伦·S·所罗门; 戴维·J·米勒; 泰特苏佐·于达 |
| 发表日期 | 2003-04-09 |
| 专利号 | CN1409778A |
| 著作权人 | CBL技术公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 掺杂镁的III－V氮化物及其制法 |
| 英文摘要 | 掺杂镁的高质量III－V氮化物层及其制法。一种P型氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可通过氢化物气相外延(HVPE)方法在兰宝石基片上生产，HVPE过程使用一种金属供料混合物，它包括镁和III族金属(Ga，In，Al)。氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可从兰宝石基片上取下以提供一种掺杂镁的P型III－V氮化物基片，后者具有低位密度并适用于制造，例如，发光器件。 |
| 公开日期 | 2003-04-09 |
| 申请日期 | 2000-04-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90021]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | CBL技术公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 格伦·S·所罗门,戴维·J·米勒,泰特苏佐·于达. 掺杂镁的III－V氮化物及其制法. CN1409778A. 2003-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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