一种微腔量子级联激光器的制作工艺
文献类型：专利
| 作者 | 路秀真 |
| 发表日期 | 2006-11-29 |
| 专利号 | CN1870367A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种微腔量子级联激光器的制作工艺 |
| 英文摘要 | 一种微腔量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在量子级联激光器材料上沉积二氧化硅；(B)然后光刻、湿法腐蚀二氧化硅，露出所需电极形状；(C)沉积电极；(D)进行二次套刻，形成微腔激光器的外部形状；(E)分步湿法腐蚀，得到所需的电极、台面和支架。 |
| 公开日期 | 2006-11-29 |
| 申请日期 | 2005-05-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90030]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 路秀真. 一种微腔量子级联激光器的制作工艺. CN1870367A. 2006-11-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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