基于氮化物的化合物半导体晶体衬底结构及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 碓井彰; 柴田真佐知; 大岛祐一 |
| 发表日期 | 2002-12-25 |
| 专利号 | CN1387231A |
| 著作权人 | 住友化学株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于氮化物的化合物半导体晶体衬底结构及其制造方法 |
| 英文摘要 | 在衬底主体的基于氮化物的化合物半导体基层上直接形成金属层,其中金属层包括从这样一组金属中选择的至少一种,该组金属借助于热处理,促使从基层中去掉构成原子;借助于热能的提供,形成穿过所述金属层的许多小孔,并在基于氮化物的化合物半导体基层中形成很多空隙;利用在开始工序中填充所述空隙和后继的在多孔金属层上的主外延生长,以在所述金属层上形成外延生长的基于氮化物的化合物半导体晶体层。 |
| 公开日期 | 2002-12-25 |
| 申请日期 | 2002-05-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90031]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 碓井彰,柴田真佐知,大岛祐一. 基于氮化物的化合物半导体晶体衬底结构及其制造方法. CN1387231A. 2002-12-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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