基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法
文献类型：专利
| 作者 | 许兴胜; 黄昕楠; 高永浩; 黎星云 |
| 发表日期 | 2015-05-20 |
| 专利号 | CN104638515A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法，所述方法包括：在硅片上制作硅波导；在硅波导一端深刻蚀键合区域，该键合区域沿着所述硅波导一端的方向延伸第一尺寸，垂直于硅波导方向延伸第二尺寸；并在所述键合区域以所述硅波导中心为轴线，两端分别延伸第三尺寸形成键合区域中心平台，将所述键合区域中心平台以外的键合区域刻蚀一定深度的凹槽形成深刻蚀区域；在表面旋涂氧化锌，之后再旋涂光刻胶，光刻曝光后显影去除所述深刻蚀区域的光刻胶，之后腐蚀掉所述深刻蚀区域的氧化锌；在表面旋涂光刻胶，显影去除深刻蚀区域以外的光刻胶；将III-V族激光器用键合到所述深刻蚀区域，出射端口对准硅波导的入射端口。 |
| 公开日期 | 2015-05-20 |
| 申请日期 | 2015-02-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90034]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许兴胜,黄昕楠,高永浩,等. 基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法. CN104638515A. 2015-05-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。