基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器、其制备方法及用途
文献类型：专利
| 作者 | 马向阳; 李云鹏; 杨德仁 |
| 发表日期 | 2013-02-13 |
| 专利号 | CN102931583A |
| 著作权人 | 浙江大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器、其制备方法及用途 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器，包括：在硅衬底的正面自下而上依次沉积有第一ZnO薄膜、第一SiO2薄膜、第二ZnO薄膜、第二SiO2薄膜和半透明电极，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极。本发明还提供了该激光器的制备方法，其步骤为：1)在硅衬底正面沉积第一ZnO薄膜，2)在第一ZnO薄膜上沉积第一SiO2薄膜，3)在第一SiO2薄膜上沉积第二ZnO薄膜，4)在第二ZnO薄膜上沉积第二SiO2薄膜，5)在第二SiO2薄膜上溅射半透明电极，在硅衬底背面溅射欧姆接触电极，即制得基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器。本发明方法制得的双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器的阈值电流显著降低，光输出功率明显提高。并且，本发明的制备方法工艺简单，且能够与现有的CMOS工艺兼容，有利于器件的大规模生产及应用。 |
| 公开日期 | 2013-02-13 |
| 申请日期 | 2012-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90051]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马向阳,李云鹏,杨德仁. 基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器、其制备方法及用途. CN102931583A. 2013-02-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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