一种高效率宽谱输出的单芯片多波长硅基激光器
文献类型：专利
| 作者 | 刘磊 ; 肖希; 王磊; 邱英; 杨奇; 余金中; 余少华
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| 发表日期 | 2016-02-03 |
| 专利号 | CN105305231A |
| 著作权人 | 武汉邮电科学研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高效率宽谱输出的单芯片多波长硅基激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种高效率宽谱输出的单芯片多波长硅基激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明的硅衬底层上分为绝缘区和光源区，绝缘区上设置有模斑变换器和谐振器，光源区设置有2个以上的光源芯片。本发明能够将多个输出中心波长不同的光源芯片集成于一体，光源芯片输出的大尺寸高斯分布光斑能高效地耦合至模斑变换器中，并经过谐振器形成腔振荡，最终在硅波导中输出高效率和宽谱范围的激光。本发明能够直接从硅波导中高效输出宽谱多波长激光，不仅结构紧凑、工艺简单、功率效率和稳定性均较高，而且可商用化，在光互联、光通信、光谱测定以及光遥感等领域中具有广阔的应用前景。 |
| 公开日期 | 2016-02-03 |
| 申请日期 | 2015-11-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90066]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉邮电科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘磊,肖希,王磊,等. 一种高效率宽谱输出的单芯片多波长硅基激光器. CN105305231A. 2016-02-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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