氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法
文献类型：专利
| 作者 | 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 朱建军; 江德生; 杨辉 |
| 发表日期 | 2015-05-13 |
| 专利号 | CN104617487A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法，包括：在氮化镓同质衬底上依次外延生长n型GaN同质外延层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型掺杂/p型重掺接触层，其中量子阱有源区中的阱层和垒层在相同的温度下生长；在p型掺杂/p型重掺接触层一侧采用光刻的方法刻蚀出脊型结构；在脊型结构的上表面制作一p型电极；在氮化镓同质衬底的下表面制作n型电极。本发明减少由于阱层和垒层生长温度不同导致的翘曲程度不同以及量子阱界面平整度的下降，从而增强量子阱内载流子的发光复合率，提高激光器的性能。 |
| 公开日期 | 2015-05-13 |
| 申请日期 | 2015-01-12 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90069]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵德刚,陈平,刘宗顺,等. 氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法. CN104617487A. 2015-05-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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