光电组件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 蔡宗良 |
| 发表日期 | 2009-12-09 |
| 专利号 | CN101599518A |
| 著作权人 | 晶元光电股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光电组件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种光电组件的外延堆栈结构，包含：一基底；一缓冲层形成在基底上；一光电组件的具有多重结构层的外延堆栈结构形成在基底之上，其中外延堆栈结构包含第一半导体导电层、发光层、多重半导体结构层在第一半导体导电层及发光层之间及第二半导体导电层在发光层之上，其中，多重半导体结构层至少包含：复数个第一半导体结构层、复数个第二半导体结构层及复数个第三半导体结构层所构成，且每一第二半导体结构层堆栈在每一第一半导体结构层与每一第三半导体结构层之间，使得多重半导体结构层是以第一/第二/第三交错堆栈的方式形成在第一半导体导电层及发光层之间。 |
| 公开日期 | 2009-12-09 |
| 申请日期 | 2008-06-05 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90076]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 晶元光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡宗良. 光电组件及其制造方法. CN101599518A. 2009-12-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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