日盲紫外DBR及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈敦军; 张荣; 郑有炓 |
| 发表日期 | 2013-11-20 |
| 专利号 | CN103400912A |
| 著作权人 | 南京大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 日盲紫外DBR及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于AlInGaN三层周期结构的日盲紫外DBR，其结构从下至上依次为：蓝宝石衬底、厚度为d1的Al0.5Ga0.5N模板层、DBR周期层，所述DBR周期层中包含n个周期，每个周期从下至上由厚度为d2的Alx1Iny1Ga1-x1-y1N-Alx2Iny2Ga1-x2-y2N组分渐变层、厚度为d3的Alx3In1-x3N层和厚度为d4的Alx4Ga1-x4N层组成。本发明中In组分的加入可以减小各层之间的晶格失配度，同时，组分渐变层有利于AlInN层的外延生长，Al0.5Ga0.5N模板层的应用也有利于组分渐变层的外延生长，解决由于晶格失配累积的应变所导致的缺陷或者开裂问题。 |
| 公开日期 | 2013-11-20 |
| 申请日期 | 2013-08-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90077]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈敦军,张荣,郑有炓. 日盲紫外DBR及其制备方法. CN103400912A. 2013-11-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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