用于光电子器件的无源波导结构
文献类型：专利
| 作者 | C·G·卡诺; 谢峰; C·E·扎赫 |
| 发表日期 | 2016-12-14 |
| 专利号 | CN106233550A |
| 著作权人 | 统雷量子电子有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于光电子器件的无源波导结构 |
| 英文摘要 | 公开了一种具有光学模式和增益区的半导体光发射器，所述光发射器包括由半导体材料A和B的双交替层制成的低损耗波导结构，半导体材料A和B分别具有折射率Na和Nb，低损耗波导中的光学模式的有效折射率No处于Na和Nb之间。其中No与增益区折射率的差值在5％的误差容限内，其中所述增益区是与低损耗波导相对接，其中所述低损耗波导中的光学模式的大小及形状和增益区的大小及形状的差值在10％的误差容限内。理想地，所述半导体材料A和B中至少一个具有足够较大的带隙，使得在15V的偏压下，无源波导结构能够阻挡电流。 |
| 公开日期 | 2016-12-14 |
| 申请日期 | 2015-02-23 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90094]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 统雷量子电子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | C·G·卡诺,谢峰,C·E·扎赫. 用于光电子器件的无源波导结构. CN106233550A. 2016-12-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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