半导体器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 神川刚; 山田英司; 荒木正浩 |
| 发表日期 | 2008-02-06 |
| 专利号 | CN101119012A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 在具有形成于其上的作为凹陷部分的刻槽区域的已处理衬底上，布置氮化物半导体薄膜。填充所述凹陷部分的所述氮化物半导体薄膜占据的截面面积为所述凹陷部分的截面面积的0.8倍或更低。 |
| 公开日期 | 2008-02-06 |
| 申请日期 | 2005-05-10 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90095]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川刚,山田英司,荒木正浩. 半导体器件及其制造方法. CN101119012A. 2008-02-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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