半導體雷射裝置及其製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 細井浩行; 牧田幸治; 山中通成 |
| 发表日期 | 2007-06-16 |
| 专利号 | TW200723622A |
| 著作权人 | 松下電器產業股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導體雷射裝置及其製造方法 |
| 英文摘要 | 本發明之脊帶型半導體雷射裝置,係在半導體基板102上具備:第1導電型之包覆層103、活性層104、第2導電型之第1包覆層105、供進行水平橫方向的光封閉之脊帶狀的第2導電型之第2包覆層108、與除脊部上之至少局部以外所形成之電流阻擋層107,該脊部之兩側面分別具備:大致垂直於半導體基板表面且由脊部下端向下延伸之第1面118、以及位於脊部底部之第2面119(由越往脊部外側越向斜下方傾斜、大致直線狀之底部傾斜面所構成),該第1面與第2面係直接連接或透過第3中間面來連接,構成該第2包覆層之半導體的(111)面係從第2面露出。藉此提供一種可提高扭曲點位準、減低動作電流之高功率半導體雷射裝置。 |
| 公开日期 | 2007-06-16 |
| 申请日期 | 2006-01-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90103]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器產業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細井浩行,牧田幸治,山中通成. 半導體雷射裝置及其製造方法. TW200723622A. 2007-06-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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