氮化镓结晶的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 油利正昭; 上田哲三; 马场孝明 |
| 发表日期 | 1998-12-30 |
| 专利号 | CN1203285A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化镓结晶的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明在于提供一种具有优异结晶性能的氮化镓厚膜结晶。本发明系在硅衬底1上形成非晶态二氧化硅薄膜2,然后,在该二氧化硅薄膜2上,形成单晶硅薄膜3,再在单晶硅薄膜3上形成氮化镓4。 |
| 公开日期 | 1998-12-30 |
| 申请日期 | 1998-04-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90119]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 油利正昭,上田哲三,马场孝明. 氮化镓结晶的制造方法. CN1203285A. 1998-12-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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