半導體環形雷射裝置
文献类型:专利
作者 | 梶山康一; 名須川利通; 石川晉; 金尾正康 |
发表日期 | 2014-04-16 |
专利号 | TW201415739A |
著作权人 | V科技股份有限公司 |
国家 | 中国台湾 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導體環形雷射裝置 |
英文摘要 | 本發明提供一種半導體環形雷射裝置,其能夠進行環形雷射的穩定振盪,並且能夠進行精度較高的角速度檢測,亦能夠滿足超緻密/超輕質化的要求。本發明的半導體環形雷射裝置具備:一個Si半導體基板(10);環形諧振器(20),由形成於Si半導體基板(10)之光波導(21)構成;半導體雷射部(2),在光波導(21)的至少一部份具備發光放大部(2A),並產生使環形諧振器(20)相互朝相反方向環繞之2個雷射光(L1、L2);及光檢測部(4),形成於Si半導體基板(10)且從環形諧振器(20)取出2個雷射光(L1、L2)來檢測2個雷射光(L1、L2)的頻率差,發光放大部(2A)具有pn接合部(13a),前述pn接合部藉由一邊對在Si半導體基板(10)中之第1半導體層(10n)以高濃度摻雜B亦即硼而得到之第2半導體層(13)照射光,一邊實施退火處理而得到。 |
公开日期 | 2014-04-16 |
申请日期 | 2013-08-30 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90123] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | V科技股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 梶山康一,名須川利通,石川晉,等. 半導體環形雷射裝置. TW201415739A. 2014-04-16. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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