分布反馈式激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 王火雷; 米俊萍; 于红艳; 丁颖; 王宝军; 边静; 王圩; 潘教青 |
| 发表日期 | 2014-01-29 |
| 专利号 | CN103545711A |
| 著作权人 | 湖北航星光电科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布反馈式激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种分布反馈式激光器及其制备方法。该分布反馈式激光器包括：N型GaAs衬底；以及依次沉积于N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层。其中，P型AlGaAs上限制层经刻蚀形成其至少一侧具有边墙光栅的脊形波导。本发明分布反馈式激光器中，由于将光栅刻蚀在脊形波导的侧面，从而可以一次性外延所有层，AlGaAs材料不会暴露在空气中，从而不会产生Al氧化问题，进而可有效提高激光器的功率和寿命。 |
| 公开日期 | 2014-01-29 |
| 申请日期 | 2013-10-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90126]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 湖北航星光电科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王火雷,米俊萍,于红艳,等. 分布反馈式激光器及其制备方法. CN103545711A. 2014-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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