半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 橘浩一; 名古肇; 斎藤真司; 布上真也; 波多腰玄一 |
| 发表日期 | 2008-07-30 |
| 专利号 | CN101232068A |
| 著作权人 | 株式会社东芝 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 一种半导体发光元件，包括：由III－V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底，其相对于方向的倾斜角在0°到45°的范围内，其相对于方向的倾斜角在0°到10°的范围内；在所述n型半导体衬底上由III－V族半导体形成的n型层；在所述n型层之上由III－V族半导体形成的n型引导层；在所述n型引导层之上由III－V族半导体形成的有源层；在所述有源层之上由III－V族半导体形成的p型第一引导层；在所述p型第一引导层之上由III－V族半导体形成的p型接触层；以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III－V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部，并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。 |
| 公开日期 | 2008-07-30 |
| 申请日期 | 2008-01-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90137]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橘浩一,名古肇,斎藤真司,等. 半导体发光元件. CN101232068A. 2008-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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