氧化锌类化合物半导体元件
文献类型：专利
| 作者 | 中原健; 汤地洋行 |
| 发表日期 | 2008-09-17 |
| 专利号 | CN101268563A |
| 著作权人 | 罗姆股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氧化锌类化合物半导体元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供氧化锌类化合物半导体元件，即使形成具有ZnO类化合物半导体的异质结的叠层部，形成半导体元件，确保p型掺杂，并且不引起驱动电压的上升，而且结晶性良好、元件特性优异。本发明的氧化锌化合物半导体元件，在以A面{11－20}或M面{10－10}向－c轴方向倾斜的面为主面的MgxZn1－xO(0≤x＜1)构成的基板1的主面上，外延生长ZnO类化合物半导体层(2)～(6)。 |
| 公开日期 | 2008-09-17 |
| 申请日期 | 2006-09-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90142]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 罗姆股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中原健,汤地洋行. 氧化锌类化合物半导体元件. CN101268563A. 2008-09-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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