制造半导体发光装置的方法及其制造的半导体发光装置
文献类型：专利
| 作者 | 小出典克 |
| 发表日期 | 2003-05-28 |
| 专利号 | CN1420571A |
| 著作权人 | 夏普公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 制造半导体发光装置的方法及其制造的半导体发光装置 |
| 英文摘要 | 一种用于制造半导体发光装置的方法，该装置包括至少一个位于衬底上的第一柱状多层结构，并包含以镓氮化物为基的半导体化合物半导体层，该化合物可由化学式InxGayAlzN(其中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)表示，该方法包括在衬底中形成多个凹槽的第一步骤；和在衬底上形成多个第一柱状多层结构，从而由该凹槽分离的第二步骤。 |
| 公开日期 | 2003-05-28 |
| 申请日期 | 2002-11-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90144]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小出典克. 制造半导体发光装置的方法及其制造的半导体发光装置. CN1420571A. 2003-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。