一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 黄小辉; 周德保; 杨东; 黄炳源; 康建; 梁旭东 |
| 发表日期 | 2012-12-26 |
| 专利号 | CN102842662A |
| 著作权人 | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法 |
| 英文摘要 | 一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法，包括如下步骤：（1）在导电衬底表面预通入一层金属源反应物；（2）实施退火形成金属岛状颗粒；（3）通入III族和V族反应物，外延生长半导体纳米柱阵列；（4）使半导体纳米柱侧向生长加快，并在源物质中掺入N型杂质，形成表面为N型的半导体纳米柱阵列；（5）在纳米柱表面以及纳米柱之间的导电衬底暴露表面上沉积一层绝缘层，并使用刻蚀液刻蚀纳米柱侧壁上的绝缘层；（6）在纳米柱表面形成纳米柱阵列器件；（7）在纳米柱阵列之间填充导电物质，形成电极层；（8）在电极层中制作P型电极，导电衬底上制作N型电极。 |
| 公开日期 | 2012-12-26 |
| 申请日期 | 2012-09-10 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90148]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄小辉,周德保,杨东,等. 一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法. CN102842662A. 2012-12-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。