使用沟槽为晶片承载的半导体器件提供电流控制
文献类型：专利
| 作者 | M·J·哈吉－谢克; J·R·比亚尔; R·M·豪金斯; J·K·冈特 |
| 发表日期 | 2005-01-19 |
| 专利号 | CN1568432A |
| 著作权人 | 菲尼萨公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 使用沟槽为晶片承载的半导体器件提供电流控制 |
| 英文摘要 | 这里公开的是用于为具有衬底(1520)、至少一个有源部件层(1565)、表面层(1510)、形成在所述表面层(1510)上的至少一个接触件(1515)的半导体晶片(1500)提供晶片寄生电流控制的方法。电流控制可以由围绕电接触件形成的沟槽(1525)来实现，其中，电接触件以及相关的层限定电子器件。绝缘注入物(1530)可以放置在沟槽(1530)中，和/或牺牲层(1540)可以在电子接触件(1515)之间形成。沟槽通过促进在有源(例如，导电)区域(1560)中的电流，且阻止电流通过非有源(例如，不导电)区域(1550)来控制电流。还公开了用于半导体器件的晶片级老化(WLBI)的方法和系统。当使用WLBI方法和系统时，晶片级的电流控制是重要的。 |
| 公开日期 | 2005-01-19 |
| 申请日期 | 2002-08-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90150]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 菲尼萨公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | M·J·哈吉－谢克,J·R·比亚尔,R·M·豪金斯,等. 使用沟槽为晶片承载的半导体器件提供电流控制. CN1568432A. 2005-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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