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带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法

文献类型:专利

作者尹雯; 陆全勇; 张伟; 刘峰奇; 张全德; 刘万峰; 江宇超; 李路; 刘俊岐; 王利军
发表日期2010-10-13
专利号CN101859983A
著作权人中国科学院半导体研究所
国家中国
文献子类发明申请
其他题名带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法
英文摘要一种带有准光子晶体波导的量子级联激光器,包括:一衬底;一下波导层生长在衬底之上,且中间有一凸台,凸台的两侧形成脊型双沟台面结构;一量子级联有源区结构生长在下波导层的凸台之上;一上波导层生长在量子级联有源区结构之上;一上包层生长在上波导层之上;一上覆盖层生长在上包层之上;一高掺杂欧姆接触层生长在上覆盖层之上;一准光子晶体结构阵列制作在上覆盖层和高掺杂欧姆接触层的两侧,中间的宽度为2μm-10μm,两侧的准光子晶体结构阵列的宽度相同,分别为5-24μm;一电绝缘层沉积在欧姆接触层之上,覆盖整个脊型台面上表面和侧壁,在覆盖有绝缘层的脊型台面中心部位留出电注入窗口;一正面电极制作在绝缘层之上;一背面电极生长在衬底的背面。
公开日期2010-10-13
申请日期2010-05-12
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90151]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
尹雯,陆全勇,张伟,等. 带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法. CN101859983A. 2010-10-13.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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