半导体器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 成泰连 |
| 发表日期 | 2009-02-18 |
| 专利号 | CN101371370A |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 公开了一种半导体器件和方法。所述半导体器件包括形成于具有绝缘特性的生长衬底上的第一类型的基于氮化物的覆层、形成于所述第一类型的基于氮化物的覆层上的多量子阱的基于氮化物的有源层、以及形成于所述多量子阱的基于氮化物的有源层上且不同于所述第一类型的基于氮化物的覆层的第二类型的基于氮化物的覆层。在所述未掺杂的基于氮化物的缓冲层和第一类型的基于氮化物的覆层之间、或/和在所述第二类型的基于氮化物的覆层上形成隧道结层。 |
| 公开日期 | 2009-02-18 |
| 申请日期 | 2006-10-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90153]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成泰连. 半导体器件及其制造方法. CN101371370A. 2009-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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