叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法
文献类型：专利
| 作者 | 邓秋芳; 梁松; 许俊杰; 朱洪亮 |
| 发表日期 | 2017-03-22 |
| 专利号 | CN106532434A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法 |
| 英文摘要 | 一种叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法，包括：在衬底上制作选区介质掩膜条对；并依次生长InP缓冲层、下分别限制层、下层多量子阱层、刻蚀终止层、上层多量子阱层以及上分别限制层；去掉部分上分别限制层和上层多量子阱层；除去部分刻蚀终止层和下层多量子阱层；对接生长无源波导芯层；在上分别限制层上制作分布反馈光栅，并依次外延生长光栅覆盖层、掺杂盖层以及重掺杂接触层，并刻蚀掉部分重掺杂接触层；刻蚀有源波导、无源波导和深波导结构；并生长绝缘介质层；开电极接触窗口；制备金属P电极；并形成隔离沟；在衬底的背面制作另一金属N电极，完成芯片制备。 |
| 公开日期 | 2017-03-22 |
| 申请日期 | 2016-12-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90155]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邓秋芳,梁松,许俊杰,等. 叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法. CN106532434A. 2017-03-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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