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光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法

文献类型:专利

作者植竹理人; 高林和雅
发表日期2013-08-14
专利号CN103247936A
著作权人富士通株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法
英文摘要本申请揭示一种光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法。该光学半导体器件包括:波导单元,形成在具有(100)平面的半导体衬底上并且包括用来传播光的芯层;光斑尺寸转换单元,形成在该半导体衬底上,通过光学方式连接到该波导单元,并且转换传播光的直径;以及一对阶梯部,形成在该半导体衬底上并且在夹设该光斑尺寸转换单元的同时彼此相对。将该光斑尺寸转换单元夹设在该对阶梯部中的同时彼此相对的相对单元之间的间隔是变化的,而且所述相对单元中每一个均包括取向相对于[011]方向朝向[0-11]方向倾斜的部分,以及该光斑尺寸转换单元上端的位置高于该波导单元上端的位置。
公开日期2013-08-14
申请日期2013-02-04
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90160]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位富士通株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
植竹理人,高林和雅. 光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法. CN103247936A. 2013-08-14.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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