具有纳米级外延过生长的量子点光电器件以及制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 爱德华·B·斯托克斯; 穆罕默德－阿里·哈桑; 卡迈勒·孙德拉桑; 詹尼弗·G·帕甘 |
| 发表日期 | 2007-01-10 |
| 专利号 | CN1894799A |
| 著作权人 | 点度量技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有纳米级外延过生长的量子点光电器件以及制造方法 |
| 英文摘要 | 提供一种在无机宽带隙异质结构中引进量子点作为电致发光层的光电器件。量子点起到器件的光学有源组件的作用，并且在多层量子点的实施例中，有利于在具有非晶格匹配衬底的异质结构中的纳米级外延横向过生长(NELOG)。与光泵浦并呈现光致发光不同，在这样的器件中的量子点是电泵浦的并呈现电致发光。由于电致发光中不存在固有的“斯托克斯损耗”，所以本发明的器件潜在地具有比光泵浦量子点器件更高的效率。从本发明得到的器件能够提供深绿色可见光，并且通过混合点的不同尺寸和组分并控制制造工艺，可获得可见光谱中的任何其他颜色，包括白光。 |
| 公开日期 | 2007-01-10 |
| 申请日期 | 2004-09-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90164]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 点度量技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 爱德华·B·斯托克斯,穆罕默德－阿里·哈桑,卡迈勒·孙德拉桑,等. 具有纳米级外延过生长的量子点光电器件以及制造方法. CN1894799A. 2007-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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