电吸收调制器及光半导体装置
文献类型：专利
| 作者 | 大和屋武 |
| 发表日期 | 2012-07-04 |
| 专利号 | CN102540504A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 电吸收调制器及光半导体装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种电吸收调制器，其目的在于，提高具有AlGaInAs光吸收层的电吸收调制器的特性。在n型InP衬底（1）上，按顺序层叠有n型InP包覆层（2）、AlGaInAs光吸收层（4）、p型InGaAsP光波导层（6）、以及p型InP包覆层（7）。p型InGaAsP光波导层（6）具有组成不同的三个InGaAsP层（6a、6b、6c）。InGaAsP层（6a、6b、6c）的价电子带间的能量势垒与InGaAsP层为单层的情况相比，其能量势垒变小。 |
| 公开日期 | 2012-07-04 |
| 申请日期 | 2011-11-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90169]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大和屋武. 电吸收调制器及光半导体装置. CN102540504A. 2012-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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