制备GaN晶体衬底的方法
文献类型：专利
| 作者 | 冈久拓司 |
| 发表日期 | 2005-07-27 |
| 专利号 | CN1645567A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 制备GaN晶体衬底的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种制备GaN晶体衬底的方法，该方法抑制在GaN晶体生长中的凹坑尺寸的增大以便制备具有高的衬底获得率的GaN晶体衬底。该制备GaN晶体衬底的方法包括通过气相生长技术在生长衬底(1)上生长GaN晶体(4)的步骤，所述GaN晶体衬底的制备方法的特征在于：在所述生长GaN晶体的步骤中，在晶体生长表面形成限定刻面平面(5F)的凹坑(6)，且特征在于，凹坑的凹坑尺寸增大因子为20％或以下。 |
| 公开日期 | 2005-07-27 |
| 申请日期 | 2005-01-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90173]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冈久拓司. 制备GaN晶体衬底的方法. CN1645567A. 2005-07-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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