一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 秦国刚; 洪涛; 李艳平; 冉广照; 陈娓兮 |
| 发表日期 | 2011-11-16 |
| 专利号 | CN102244367A |
| 著作权人 | 北京大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法，属于硅基光电子器件领域。本激光器包括刻蚀有键合区和光耦合区的SOI层；SOI层上设有一多区层，多区层从左到右依次为键合用聚合物、硅阻挡墙、空气隙、硅波导、空气隙、硅阻挡墙、键合用聚合物；多区层上设有n型III-V族材料层；n型III-V族材料层上与硅波导对应部位设有一多层结构，多层结构从下至上依次为第一SCH层、MQW层、第二SCH层、p型III-V族材料层、p型腐蚀阻挡层、p型欧盟接触层；在n型III-V族材料层上多层结构左右两侧分别有一n型III-V族材料的欧姆接触层。本激光器可作为硅基光源应用于单片硅基光电集成，易于制备、成本低。 |
| 公开日期 | 2011-11-16 |
| 申请日期 | 2011-05-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90185]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦国刚,洪涛,李艳平,等. 一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法. CN102244367A. 2011-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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