基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 王莉娟; 喻颖; 査国伟; 徐建星; 倪海桥; 牛智川 |
| 发表日期 | 2014-01-22 |
| 专利号 | CN103532010A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法。该单光子发射器包括：GaAs衬底；在该GaAs衬底上制备的外延片，该外延片由下至上依次包括GaAs缓冲层(1)、DBR(4)和(6)、InAs量子点有源区(5)和高折射率对比度光栅(低折射率(7)和高折射率材料(8))。在该外延片上采用标准光刻技术及ICP技术刻蚀露出GaAs缓冲层作为N型欧姆欧姆接触层，然后分别在高折射率材料和GaAs缓冲层上蒸发合金作为P型电极和N型电极。利用电子束曝光和ICP刻蚀技术在高折射率材料上制作亚微米级光栅，利用腐蚀液选择性腐蚀光栅下层的材料，得到低折射率的空气层。 |
| 公开日期 | 2014-01-22 |
| 申请日期 | 2013-10-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90194]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王莉娟,喻颖,査国伟,等. 基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法. CN103532010A. 2014-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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