基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 施毅; 鄢波; 濮林; 张匡吉; 韩平; 张荣; 郑有炓 |
| 发表日期 | 2006-03-15 |
| 专利号 | CN1747130A |
| 著作权人 | 南京大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法 |
| 英文摘要 | 基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法，在硅晶片、二氧化硅、氮化硅，玻璃或石英基片构成的绝缘衬底上；采用化学气相沉积(CVD)自组织方法生长多层Ge量子点/a－Si膜，所述的化学气相沉积包括在约450－550℃温度下以SiH4为气源沉积a－Si、以GeH4为气源沉积Ge量子点，掺杂方式可以是在所述的a－Si外延沉积中，以B2H6、PH3为气源进行原位p、n型掺杂；或者是在化学气相沉积(CVD)制备多层Ge量子点/a－Si膜后对该异质结构的外延层进行硼离子或磷离子注入掺杂；然后刻蚀出金属淀积窗口，金属淀积；最后利用金属诱导结晶机制在低温范围下退火，形成大面积完整晶态Si基Ge量子点多层膜结构材料。 |
| 公开日期 | 2006-03-15 |
| 申请日期 | 2005-08-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90197]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施毅,鄢波,濮林,等. 基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法. CN1747130A. 2006-03-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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