化合物半导体发光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 口野启史; 八木克己 |
| 发表日期 | 2005-05-18 |
| 专利号 | CN1618133A |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半导体发光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种化合物半导体发光元件，提高光提取效率，仅一次引线接合即可，能实现对位容易的安装，可减少工序地制作芯片。在绝缘性基板(11)的一面层叠形成由应形成活性层(15)的多个半导体薄膜构成的半导体层(4)，在半导体层(4)上面形成一个电极(33)，在绝缘性基板(11)的另一面形成另一个电极(33)。为了露出和另一个电极(33)连接的第一半导体薄膜层(13)，除去第一半导体薄膜层(13)上的半导体膜而形成暴露区域(10)，在该暴露区域(10)设置贯通绝缘性基板(11)和第一半导体薄膜层(13)的贯通孔(2)，通过贯通孔(2)中形成的导电性材料(3)电连接第一半导体薄膜层(13)和另一个电极(33)。 |
| 公开日期 | 2005-05-18 |
| 申请日期 | 2002-11-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90206]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 口野启史,八木克己. 化合物半导体发光元件及其制造方法. CN1618133A. 2005-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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