一种硅基氧化锌紫外电致发光器件及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 马向阳; 杨德仁; 陈培良; 阙端麟 |
| 发表日期 | 2006-06-14 |
| 专利号 | CN1787246A |
| 著作权人 | 浙江大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种硅基氧化锌紫外电致发光器件及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种硅基氧化锌紫外电致发光器件及其制备方法。该器件在硅衬底的正面自下而上依次沉积ZnO薄膜、SiO2薄膜和电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。其制备步骤如下：先将N型硅片清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室抽真空，以Zn为靶材，以O2和Ar作为溅射气氛，进行溅射生长，得到ZnO薄膜；然后用化学气相沉积法或蒸发法或溅射法或溶胶－凝胶方法在ZnO薄膜上沉积SiO2薄膜；再在SiO2薄膜上溅射电极，在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。本发明器件的结构和实现方式简单，不需要采用P型ZnO薄膜，因而避开了ZnO薄膜P型掺杂困难的问题。且制备方法所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容。 |
| 公开日期 | 2006-06-14 |
| 申请日期 | 2005-11-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90212]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马向阳,杨德仁,陈培良,等. 一种硅基氧化锌紫外电致发光器件及其制备方法. CN1787246A. 2006-06-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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