一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器及其实现方法
文献类型：专利
| 作者 | 王磊; 肖希; 陈代高; 李淼峰; 杨奇; 余少华 |
| 发表日期 | 2017-05-31 |
| 专利号 | CN106785901A |
| 著作权人 | 武汉邮电科学研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器及其实现方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器及其实现方法，该硅基可调谐激光器包括半导体光放大器、SOI晶圆以及设置在SOI晶圆上依次相互连接的耦合器、TE0模波导、模式变换器、第一取样光栅和第二取样光栅，第一、第二取样光栅间隔连接；耦合器将半导体光放大器输出的光场传输至TE0模波导，得到TE0模的光场；模式变换器将TE0模的光场变换为有效折射率小于TE0模的新模式的光场；第一、第二取样光栅将新模式的光场反射回半导体光放大器。本发明不需要采用更精密的加工手段，大大降低了工艺成本，而且工艺稳定性更高，同时，第一、第二取样光栅在同一条波导上，可省去光分路器，降低复杂度。 |
| 公开日期 | 2017-05-31 |
| 申请日期 | 2016-12-23 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90225]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉邮电科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王磊,肖希,陈代高,等. 一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器及其实现方法. CN106785901A. 2017-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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