氮化物半导体发光器件和半导体发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 神川刚; 麦华路巴武吕; 伊藤茂稔 |
| 发表日期 | 2011-08-03 |
| 专利号 | CN102144342A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光器件和半导体发光器件 |
| 英文摘要 | 在一种氮化物半导体发光器件中，在n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上依次地堆叠氮化物半导体层(103，303，603，1203)、p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)和有源层(105，305，605，1205)。在一种氮化物半导体发光器件中，在衬底(1401，1501，1601，1701)上依次地堆叠第一底层(1402，1502，1602，1702)、第二底层(1404，1504，1604，1704)、有源层(1405，1505，1605，1705)和厚度不大于40nm的上层(1406，1506，1606，1706)，针对n型的第二电极(1408，1508，1608，1708)与上层(1406，1506，1606，1706)相接触的界面包含金属，所述金属的表面等离激元能够由从有源层(1405，1505，1605，1705)产生的光来激励。 |
| 公开日期 | 2011-08-03 |
| 申请日期 | 2009-09-03 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90227]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川刚,麦华路巴武吕,伊藤茂稔. 氮化物半导体发光器件和半导体发光器件. CN102144342A. 2011-08-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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