III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 盐谷阳平; 善积祐介; 京野孝史; 住友隆道; 秋田胜史; 上野昌纪; 中村孝夫 |
| 发表日期 | 2012-05-23 |
| 专利号 | CN102474075A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供包含具有良好表面形态的半极性外延膜的III族氮化物半导体元件。包含III族氮化物半导体的支撑基体13的主面13a沿着与基准轴Ax正交的基准平面RSUB延伸，所述基准轴Ax相对于该III族氮化物半导体的c轴以规定的角度ALPHA倾斜。基准轴Ax沿着从该III族氮化物半导体的c轴朝向m轴的方向以10度以上且小于80度的范围内的第一角度ALPHA1倾斜。主面13a显示出半极性。基准轴Ax从该III族氮化物半导体的c轴向a轴的方向以-0.30度以上且+0.30度以下的范围内的第二角度ALPHA2倾斜。基准轴Ax在主面13a的法线方向上延伸。外延半导体区域15的最表面15a的形态包含多个凹坑，该凹坑的凹坑密度为5×104cm-2以下。 |
| 公开日期 | 2012-05-23 |
| 申请日期 | 2010-07-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90236]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 盐谷阳平,善积祐介,京野孝史,等. III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法. CN102474075A. 2012-05-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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