半导体发光器件、其结构单元及制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 幡俊雄 |
| 发表日期 | 2007-03-07 |
| 专利号 | CN1925177A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光器件、其结构单元及制造方法 |
| 英文摘要 | 一种氮化物基化合物半导体发光器件，包括：第一导电衬底(11)；形成在所述第一导电衬底(11)上的第一欧姆电极(12)；形成在所述第一欧姆电极(12)上的键合金属层(20)；形成在所述键合金属层(20)上的第二欧姆电极(13)；以及形成在所述第二欧姆电极(13)上的氮化物基化合物半导体层(30)。所述氮化物基化合物半导体层(30)包括至少一P型层(31)、发光层(32)和N型层(33)，且具有凹槽部分(50)或凹面形部分。 |
| 公开日期 | 2007-03-07 |
| 申请日期 | 2005-08-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90247]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幡俊雄. 半导体发光器件、其结构单元及制造方法. CN1925177A. 2007-03-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。