半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 仓桥孝尚; 中津弘志; 村上哲朗; 大山尚一 |
| 发表日期 | 2004-05-19 |
| 专利号 | CN1497746A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 |
| 英文摘要 | 由单层或多层半导体层组成的发光层4在未掺杂型、弱p型，或者n型第一半导体衬底上进行层叠。由单层或多层组成的n型半导体层5－7在该发光层4上进行层叠。对于发光层4所发射光的波长透明的第二半导体层8在n型半导体层7的表面形成。然后，第一半导体衬底被去除。对于发光层所发射光的波长透明的透明电极层9在通过去除第一半导体衬底所暴露的平面上形成。 |
| 公开日期 | 2004-05-19 |
| 申请日期 | 2003-10-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90264]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仓桥孝尚,中津弘志,村上哲朗,等. 半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法. CN1497746A. 2004-05-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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