具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器
文献类型：专利
| 作者 | 黄祖炎; 宋国锋; 王青; 韦欣; 陈良惠 |
| 发表日期 | 2010-02-17 |
| 专利号 | CN101651286A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器 |
| 英文摘要 | 一种具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器，其特征在于，包括：一铜热沉，该铜热沉上开有一凹槽；一透明热沉，该透明热沉的上表面蒸镀有增透膜；一外延片，该外延片采用液体吸附的方法与透明热沉的下表面连接，将连接后透明热沉和外延片通过焊料与铜热沉固定连接，使外延片容置在凹槽内；一泵浦光源，该泵浦光源与轴线成一定的角度置于透明热沉上表面的一侧；一外腔镜，该外腔镜位于透明热沉上面的轴线处，该外腔镜的凹面镀有反射膜。 |
| 公开日期 | 2010-02-17 |
| 申请日期 | 2008-08-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90265]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄祖炎,宋国锋,王青,等. 具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器. CN101651286A. 2010-02-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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