发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 田中健一郎; 久保雅男; 松嶋朝明; 寺内亮一 |
| 发表日期 | 2005-11-02 |
| 专利号 | CN1225803C |
| 著作权人 | 松下电工株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 发光器件 |
| 英文摘要 | 一种半导体发光器件，提供具有增强光辐射能力的大辐射表面。N型GaN层和P型GaN层叠置以在其间限定界面，通过给该界面施加电压而产生光。开发了其上生长GaN层的光波导，用于提供发射光的宽辐射表面。辐射表面形成有由第一介质和第二介质的阵列构成的折射层，第一介质和第二介质具有互不相同的各自的折射率，并穿过辐射表面交替设置。这样，可最佳利用光波导以提供大辐射表面，并形成有折射层，减少了光波导内部的多次反射，用于使通过光波导传输的光有效地通过或辐射。 |
| 公开日期 | 2005-11-02 |
| 申请日期 | 2003-06-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90267]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电工株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中健一郎,久保雅男,松嶋朝明,等. 发光器件. CN1225803C. 2005-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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