发光半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 李森田; 优瑞·吉欧吉维奇·史瑞特; 优瑞·图马索维奇·瑞朋; 罗斯南·伊凡诺维奇·葛布诺夫 |
| 发表日期 | 2006-11-01 |
| 专利号 | CN1855559A |
| 著作权人 | 华宇电脑股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 发光半导体器件 |
| 英文摘要 | 本发明提出一种NPBL(nano－particle bufferlayer)与ANPL(active layer with light emitting and current blocking nano－particles)发光半导体器件结构及其形成方法；该半导体器件包含：衬底；缓冲层，位于衬底上；第一接触层，位于缓冲层上，其具有第一掺杂层；发光层，位于第一接触层上，其中发光层内具有多个第一纳米粒子；以及第二接触层，位于发光层上，其具有第二掺杂层，该二掺杂层的掺杂类型与第一掺杂层的掺杂类型不同。其通过添加至该发光半导体器件结构发光层中的纳米粒子的作用而降低漏电流量；且本发明配合一般平面化技术工艺，所制得的发光半导体器件于宏观上具有平面化结构，但就微观上而言，其膜层结构间并非平滑平面，借以破坏寄生波导效应，以增进该半导体发光器件的光提取效率。 |
| 公开日期 | 2006-11-01 |
| 申请日期 | 2005-04-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90268]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华宇电脑股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李森田,优瑞·吉欧吉维奇·史瑞特,优瑞·图马索维奇·瑞朋,等. 发光半导体器件. CN1855559A. 2006-11-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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