蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法
文献类型：专利
| 作者 | 徐军; 彭观良; 周圣明; 周国清; 蒋成勇; 王海丽; 李抒智; 赵广军; 张俊计; 刘军芳 |
| 发表日期 | 2004-11-10 |
| 专利号 | CN1545145A |
| 著作权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法 |
| 英文摘要 | 一种蓝宝石基氮化物芯片的减薄划片方法，包括下列步骤：成对地将蓝宝石基氮化物芯片贴成氮化物芯片夹心饼；将氮化物芯片夹心饼送入铂金坩埚并置于或悬于铂金丝上，在该坩埚内，放置带气孔的γ－LiAlO2和Li2O混合料块，料块上部有铂金片，覆盖有γ－LiAlO2和Li2O混合粉料并配备有热电偶的坩埚盖，坩埚顶部加铂金盖密闭，置于电阻炉中；该电阻炉加热升温至750－900℃，恒温80－200小时，氧化锂扩散到蓝宝石晶片中，发生固相反应生成铝酸锂(γ－LiAlO2)；采用机械或化学的方法进行减薄，并把这个氮化物芯片夹心饼从中分开；划片；裂片；对芯片进行测试及分类包装。本发明提高了对蓝宝石基氮化物芯片的减薄和划片的效率和成品率。 |
| 公开日期 | 2004-11-10 |
| 申请日期 | 2003-11-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90269]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,彭观良,周圣明,等. 蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法. CN1545145A. 2004-11-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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