第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射二極體
文献类型：专利
| 作者 | 秋田勝史; 鹽谷陽平; 京野孝史; 足立真寬; 德山慎司; 善積祐介; 住友隆道; 上野昌紀 |
| 发表日期 | 2011-05-16 |
| 专利号 | TW201117501A |
| 著作权人 | 住友電氣工業股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射二極體 |
| 英文摘要 | 本發明係一種形成於半極性之主面上之長波長之第III族氮化物半導體雷射二極體，其能夠抑制活性層之結晶質量之下降，並獲得穩定之振盪模式。第III族氮化物半導體雷射二極體11包括：第III族氮化物基板13，其具有半極性之主面13a；n型包覆層15，其包含含Al之第III族氮化物；活性層17；p型包覆層19，其包含含Al之第III族氮化物；第1導光層21，其設置於n型包覆層與活性層之間；第2導光層23，其設置於p型包覆層與活性層之間。導光層21、23包括含有GaN之第1層31、35及含有InGaN之第2層33、37，各導光層21、23中之第1及第2層之合計厚度大於0.1μm。 |
| 公开日期 | 2011-05-16 |
| 申请日期 | 2010-07-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90270]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電氣工業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秋田勝史,鹽谷陽平,京野孝史,等. 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射二極體. TW201117501A. 2011-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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