不受偏振影响的半导体光放大器
文献类型:专利
作者 | 金钟烈; 沈钟寅 |
发表日期 | 2001-09-19 |
专利号 | CN1313523A |
著作权人 | 三星电子株式会社 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 不受偏振影响的半导体光放大器 |
英文摘要 | 公开一种光放大部件中的不受偏振影响的半导体光放大器,其具有衬底和包括形成于衬底上的有源层的多层结构的晶体生长层。在该光放大器中,有源层被分成具有不同偏振模的第一区和第二区。各电极装置独立地将电流加至第一区和第二区。因此,不受偏振影响的半导体光放大器能够分开控制TE和TM偏振增益以便基本平衡TE偏振增益与TM偏振增益。 |
公开日期 | 2001-09-19 |
申请日期 | 2001-03-12 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90274] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三星电子株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 金钟烈,沈钟寅. 不受偏振影响的半导体光放大器. CN1313523A. 2001-09-19. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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