半导体装置的制造方法、半导体装置
文献类型：专利
| 作者 | 佐久间仁 |
| 发表日期 | 2016-11-16 |
| 专利号 | CN106129810A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体装置的制造方法、半导体装置 |
| 英文摘要 | 本发明的目的在于提供一种具有下述效果的半导体装置的制造方法和半导体装置，即，能够形成宽度小的台面条带，而且能够防止在台面条带的左右的槽的周边使衬底裂开。具备下述工序：在半导体衬底之上形成包含有源层的台面条带、和覆盖该台面条带的半导体层的工序；在该半导体层之上形成使该台面条带的左右的该半导体层露出的掩模图案的工序；各向同性蚀刻工序，对从该掩模图案露出的该半导体层实施各向同性蚀刻，在该半导体层形成剖面形状为圆弧状的凹陷；以及各向异性蚀刻工序，在该各向同性蚀刻工序后，对从该掩模图案露出的该半导体层实施各向异性蚀刻，将蚀刻进行至该半导体衬底。 |
| 公开日期 | 2016-11-16 |
| 申请日期 | 2016-05-06 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90277]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐久间仁. 半导体装置的制造方法、半导体装置. CN106129810A. 2016-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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