ＩＩＩ族氮化物半導體雷射、及ＩＩＩ族氮化物半導體雷射之製作方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤井慧; 上野昌紀; 秋田勝史; 京野孝史; 善積祐介; 住友隆道; 鹽谷陽平 |
| 发表日期 | 2010-09-16 |
| 专利号 | TW201034325A |
| 著作权人 | 住友電氣工業股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ＩＩＩ族氮化物半導體雷射、及ＩＩＩ族氮化物半導體雷射之製作方法 |
| 英文摘要 | 本發明提供一種可利用半極性面提供低閾值之III族氮化物半導體雷射。半導體基板13之主面13a於GaN之a軸方向上，相對於與GaN之c軸方向之基準軸Cx正交之基準面而以50度以上且70度以下之範圍之傾斜角AOFF傾斜。第1包覆層15、活性層17及第2包覆層19設置於半導體基板13之主面13a上。活性層17之井層23a包含InGaN。該半導體雷射於達到雷射振盪之前自活性層出射之LED模式下之偏光度P為-1以上且0.1以下。III族氮化物半導體雷射之偏光度P使用LED模式下之光之該X1方向之電場成分I1與該X2方向之電場成分I2，而由P=(I1-I2)/(I1+I2)予以規定。 |
| 公开日期 | 2010-09-16 |
| 申请日期 | 2009-12-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90279]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電氣工業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井慧,上野昌紀,秋田勝史,等. ＩＩＩ族氮化物半導體雷射、及ＩＩＩ族氮化物半導體雷射之製作方法. TW201034325A. 2010-09-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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